- Модель продукта SP8M4HZGTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:3479
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.4W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Ta), 7A (Ta)
- Глубина 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
- Тип симистора 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP