Технические детали

• Тип монтажа Die
• Толщина контактного покрытия 280mA
• Индуктивность 18GHz
• Общее сопротивление 30dBm
• Площадь (Д x Ш) 13dB
• Функция - Освещение pHEMT FET
• Максимальное переменное напряжение Chip
• 2 V
• 1 mA