Технические детали

• Тип монтажа Die
• Толщина контактного покрытия 360mA
• Индуктивность 12GHz
• Общее сопротивление 30.5dB
• Площадь (Д x Ш) 13dB
• Функция - Освещение pHEMT FET
• Максимальное переменное напряжение Chip
• 2 V
• 1 mA