- Модель продукта HN1B04FE-Y,LXHF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
-
PDF
Инвентаризация:9498
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 1 NPN, 1 PNP
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Смываемый 100mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 150mA
- IGBT Тип 50V
- Толщина ленты 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
- Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
- Входной логический уровень - Высокий 120 @ 2mA, 6V
- Тип диода 80MHz
- Максимальное переменное напряжение ES6
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101