- Модель продукта SSM6L820R,LXHF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:16283
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.4W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V, 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
- Глубина 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
- Тип симистора 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
- Барьерный тип 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP-F
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101