- Модель продукта NE3515S02-T1C-A
- Бренд CEL (California Eastern Laboratories)
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET HFET 2V 4MICROX
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:25500
Технические детали
- Тип монтажа 4-Micro-X
- Толщина контактного покрытия 88mA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 12GHz
- Площадь (Д x Ш) 12.5dB
- Функция - Освещение HFET
- Глубина (дюймы) 0.3dB
- Максимальное переменное напряжение 4-Micro-X
- Длина ножки 4 V
- 2 V
- 10 mA