- Модель продукта NE85633-T1B-A
- Бренд CEL (California Eastern Laboratories)
- RoHS Yes
- Описание SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
Инвентаризация:28500
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал NPN
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Площадь (Д x Ш) 11.5dB
- Смываемый 200mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 12V
- Входной логический уровень - Высокий 50 @ 20mA, 10V
- Тип диода 7GHz
- Срок действия лицензии 1.1dB @ 1GHz
- Максимальное переменное напряжение 3-MINIMOLD