- Модель продукта A3G18D510-04SR3
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET GAN 48V NI780
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа NI-780S-4L
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 1.805GHz ~ 2.2GHz
- Общее сопротивление 56W
- Площадь (Д x Ш) 16dB
- Функция - Освещение GaN
- Максимальное переменное напряжение NI-780S-4L
- Длина ножки 125 V
- 48 V
- 250 mA