- Модель продукта A3G26H200W17SR3
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET GAN 48V NI780
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа NI-780S-4S2S
- Индуктивность 2.496GHz ~ 2.69GHz
- Общее сопротивление 34W
- Площадь (Д x Ш) 14.2dB
- Функция - Освещение GaN
- Максимальное переменное напряжение NI-780S-4S2S
- Длина ножки 125 V
- 48 V
- 120 mA