- Модель продукта ISC019N04NM5ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13928
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Ta), 170A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.9mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 100W (Tc)
- Барьерный тип 3.4V @ 50µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8 FL
- Длина ремня 7V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 55 nC @ 10 V
- 3900 pF @ 20 V