- Модель продукта A3G26D055N-2110
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET GAN 48V 6DFN
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1503
Технические детали
- Тип монтажа 6-LDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 100MHz ~ 2.69GHz
- Общее сопротивление 8W
- Площадь (Д x Ш) 13.9dB
- Функция - Освещение GaN
- Максимальное переменное напряжение 6-PDFN (7x6.5)
- Длина ножки 125 V
- 48 V
- 40 mA