Технические детали

• Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.1W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta), 3.5A (Ta)
• Глубина 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
• Тип симистора 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение TSMT8