- Модель продукта SSM6N62TU,LXHF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:2668
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 500mW (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 800mA (Ta)
- Глубина 177pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 800mA, 4.5V
- Тип симистора 2nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate, 1.2V Drive
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение UF6
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101