- Модель продукта FDT4N50NZU
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5299
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3Ohm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 2W (Tc)
- Барьерный тип 5.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223 (TO-261)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 500 V
- 9.1 nC @ 10 V
- 476 pF @ 25 V