Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 900mW (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.9A, 8.2A
• Глубина 600pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 6.9A, 10V
• Тип симистора 15nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC