Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 900mW (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A
• Глубина 320pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 1A, 10V
• Тип симистора 27nC @ 10V, 5nC @ 10V
• Барьерный тип 2.8V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC