- Модель продукта SISH892BDN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5331
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A (Ta), 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30.4mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 3.4W (Ta), 29W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 26.5 nC @ 10 V
- 1110 pF @ 50 V