- Модель продукта CP406-CWDM3011N-WN
- Бренд Central Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.93A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 1.15W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V