- Модель продукта IGN1011L70
- Бренд Integra Technologies
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1511
Технические детали
- Тип монтажа PL32A2
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Общее сопротивление 80W
- Площадь (Д x Ш) 22dB
- Функция - Освещение GaN HEMT
- Максимальное переменное напряжение PL32A2
- Длина ножки 120 V
- 50 V
- 22 mA