- Модель продукта IRF40H233ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.8W (Ta), 50W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 40V
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Глубина 2200pF @ 20V
- Сопротивление при 25°C 6.2mOhm @ 35A, 10V
- Тип симистора 57nC @ 10V
- Барьерный тип 3.9V @ 50µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4