Инвентаризация:19064

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A
  • Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 120W
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN5060
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 66 nC @ 10 V
  • 4600 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

Инвентаризация: 83833

RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273-1

Инвентаризация: 12

MOSFET N-CH 100V 80A TDSON

Инвентаризация: 38158

MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3

Инвентаризация: 955336

MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060

Инвентаризация: 44900

Top