- Модель продукта SIRA20BDP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS No
- Описание MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:9917
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 82A (Ta), 335A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.58mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.3W (Ta), 104W (Tc)
- Барьерный тип 2.1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Шаг Количество +16V, -12V
- 25 V
- 186 nC @ 10 V
- 9950 pF @ 15 V