- Модель продукта PMCM6501VNEZ
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2037638
Технические детали
- Тип монтажа 6-XFBGA, WLCSP
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7.3A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 3A, 4.5V
- Материал феррулы 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
- Барьерный тип 900mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-WLCSP (1.48x0.98)
- Длина ремня 1.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 12 V
- 24 nC @ 4.5 V
- 920 pF @ 6 V