Инвентаризация:37500

Технические детали

  • Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 700mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.1A
  • Глубина 450pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Тип симистора 4.8nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (2x2)
Top