- Модель продукта FDMD8900
- Бренд Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:16910
Технические детали
- Тип монтажа 12-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.1W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 19A, 17A
- Глубина 2605pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 19A, 10V
- Тип симистора 35nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 12-Power3.3x5