- Модель продукта SSM6L56FE,LM
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 150mW (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 800mA (Ta)
- Глубина 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
- Тип симистора 1nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение ES6