- Модель продукта SQJ912DEP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:6755
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 27W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 40V
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.3mOhm @ 7A, 10V
- Тип симистора 36nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101