Инвентаризация:3700

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.8A (Ta), 14A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 122mOhm @ 2.8A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 78W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (5x6), Power56
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 250 V
  • 42 nC @ 10 V
  • 2365 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

Инвентаризация: 5972

MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8

Инвентаризация: 15563

MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Инвентаризация: 14379

Top