- Модель продукта SPB18P06PGATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2648
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18.7A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 13.2A, 10V
- Материал феррулы 81.1W (Ta)
- Барьерный тип 4V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 28 nC @ 10 V
- 860 pF @ 25 V