- Модель продукта TPCC8105,L1Q(CM
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 23A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
- Материал феррулы 700mW (Ta), 30W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -25V
- 30 V
- 76 nC @ 10 V
- 3240 pF @ 10 V