Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric SQ
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Ta), 74A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 3.7mOhm @ 19A, 10V
• Материал феррулы 2.1W (Ta), 32W (Tc)
• Барьерный тип 2.1V @ 35µA
• Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric SQ
• Шаг Количество ±16V
• 25 V
• 17 nC @ 4.5 V
• 1590 pF @ 13 V