- Модель продукта AFT26HW050GSR3-NXP
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1629
Технические детали
- Тип монтажа NI-780S-4L4L-8
- Толщина контактного покрытия 1µA
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 2.496GHz ~ 2.69GHz
- Скорость 2 N-Channel
- Общее сопротивление 9W
- Площадь (Д x Ш) 14.2dB
- Функция - Освещение LDMOS (Dual)
- Максимальное переменное напряжение NI-780S-4L4L-8
- Длина ножки 65 V
- 28 V
- 100 mA