Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric MC
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.1W (Ta), 57W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 75A (Tc)
• Глубина 3241pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 14A, 10V
• Тип симистора 64nC @ 4.5V
• Барьерный тип 2.4V @ 50µA
• Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric MC