Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric SQ
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 60A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 7.3mOhm @ 14A, 10V
• Материал феррулы 2.2W (Ta), 42W (Tc)
• Барьерный тип 2.4V @ 25µA
• Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric SQ
• Шаг Количество ±20V
• 30 V
• 17 nC @ 4.5 V
• 1430 pF @ 15 V