Технические детали

• Тип монтажа 8-WDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 8W, 10W
• Внутренняя отделка контактов 25V
• Толщина внешнего контактного покрытия 14A, 16A
• Глубина 810pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 9.2mOhm @ 7A, 10V
• Тип симистора 6.2nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate, 4.5V Drive
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)