- Модель продукта RM12N650T2
- Бренд Rectron USA
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3500
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 360mOhm @ 7A, 10V
- Материал феррулы 101W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 650 V
- 870 pF @ 50 V