- Модель продукта NVMJS1D4N06CLTWG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4390
Технические детали
- Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Ta), 262A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.3mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 4W (Ta), 180W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 280µA
- Максимальное переменное напряжение 8-LFPAK
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 103 nC @ 10 V
- 7430 pF @ 30 V
- AEC-Q101