- Модель продукта FDMC2610
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6562
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 200mOhm @ 2.2A, 10V
- Материал феррулы 2.1W (Ta), 42W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 18 nC @ 10 V
- 960 pF @ 100 V