Инвентаризация:6562

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 200mOhm @ 2.2A, 10V
  • Материал феррулы 2.1W (Ta), 42W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-MLP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 18 nC @ 10 V
  • 960 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3

Инвентаризация: 14402

MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP

Инвентаризация: 4183

MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC

Инвентаризация: 8788

Top