Инвентаризация:6327

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.9W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
  • Глубина 2200pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 13.5mOhm @ 7A, 10V
  • Тип симистора 45nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8

Инвентаризация: 8599

MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC

Инвентаризация: 7289

Top