- Модель продукта IRFBG20PBF-BE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3260
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11Ohm @ 840mA, 10V
- Материал феррулы 54W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 1000 V
- 38 nC @ 10 V
- 500 pF @ 25 V