Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 4 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 245W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
  • Глубина 1990pF @ 1000V
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
  • Тип симистора 137nC @ 20V
  • Барьерный тип 2.7V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение SP3F

Сопутствующие товары


SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 1200V 173A SP3F

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 700V 124A SP3F

Инвентаризация: 0

Top