Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N Channel (Phase Leg)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Смываемый 1350W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 264A (Tc)
• Глубина 11400pF @ 1000V
• Сопротивление при 25°C 8.7mOhm @ 240A, 20V
• Тип симистора 690nC @ 20V
• Барьерный тип 4V @ 60mA
• Максимальное переменное напряжение SP6C LI