Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 2 N Channel (Phase Leg)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Смываемый 395W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 89A (Tc)
  • Глубина 3020pF @ 1000V
  • Сопротивление при 25°C 31mOhm @ 40A, 20V
  • Тип симистора 232nC @ 20V
  • Барьерный тип 2.8V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение SP1F

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET

Инвентаризация: 21737

SIC 2N-CH 1200V 55A SP1F

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1700V 523A

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 110A TO263

Инвентаризация: 4343

Top