Инвентаризация:10917

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 700mA (Ta), 1.4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 700mA, 10V
  • Материал феррулы 1.7W (Ta), 16.2W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение MLPAK33
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 4.5 nC @ 10 V
  • 159 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER

Инвентаризация: 5671

MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3

Инвентаризация: 8836

MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK

Инвентаризация: 4879

Top