Инвентаризация:8578

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Ta), 96A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.8mOhm @ 18A, 10V
  • Материал феррулы 2.36W (Ta), 50W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 134 nC @ 10 V
  • 5600 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

Инвентаризация: 2912

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Инвентаризация: 129439

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

Инвентаризация: 125272

MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO

Инвентаризация: 2371

MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK

Инвентаризация: 1781

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 2364

Top