Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 4-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.1W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 48mOhm @ 3A, 4.5V
  • Тип симистора 11.5nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-AlphaDFN (0.97x0.97)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP

Инвентаризация: 8948

Top