- Модель продукта AONS660A70F
- Бренд Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.7A (Ta), 9.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 660mOhm @ 2.5A, 10V
- Материал феррулы 4.1W (Ta), 138W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (5x6)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 700 V
- 14.5 nC @ 10 V
- 900 pF @ 100 V