- Модель продукта FDP61N20
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1546
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 61A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 30.5A, 10V
- Материал феррулы 417W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 200 V
- 75 nC @ 10 V
- 3380 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Инвентаризация: 79
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Инвентаризация: 5069
MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Инвентаризация: 12
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
Инвентаризация: 7818
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FM
Инвентаризация: 0
