Инвентаризация:19658

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 10.5mOhm @ 12A, 20V
  • Материал феррулы 3.2W (Tj)
  • Барьерный тип 2.8V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP
  • Длина ремня 4.5V, 20V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 29.8 nC @ 10 V
  • 2050 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP

Инвентаризация: 6395

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 5337

Top