- Модель продукта IPD90R1K2C3ATMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4146
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.1A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 310µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 900 V
- 3.2 nC @ 10 V
- 710 pF @ 100 V